BS EN 62374-1-2010 半导体装置.依赖时间的金属层间的介质击穿(TDDB)试验

作者:标准资料网 时间:2024-05-19 05:56:52  浏览:8616   来源:标准资料网

【英文标准名称】:Semiconductordevices.Time-dependentdielectricbreakdown(TDDB)testforinter-metallayers
【原文标准名称】:半导体装置.依赖时间的金属层间的介质击穿(TDDB)试验
【标准号】:BSEN62374-1-2010
【标准状态】:现行
【国别】:英国
【发布日期】:2010-12-31
【实施或试行日期】:2010-12-31
【发布单位】:英国标准学会(GB-BSI)
【起草单位】:BSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:元部件;定义(术语);介质;电介质击穿;电气工程;电子设备及元件;外壳;失效;大门;热室;层;寿命;半导体器件;测试;测试装置;按时间;电压;电压应力
【英文主题词】:Components;Definitions;Dielectric;Dielectricbreakdown;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Enclosures;Failure;Gates;Heatingchamber;Layers;Life(durability);Semiconductordevices;Testing;Testingdevices;Time-dependent;Voltage;Voltagestress
【摘要】:ThispartofIEC62374describesatestmethod,teststructureandlifetimeestimationmethodofthetime-dependentdielectricbreakdown(TDDB)testforinter-metallayersappliedinsemiconductordevices.
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:20P.;A4
【正文语种】:英语